【导读】安森美（onsemi）与驱动技能领军企业舍弗勒（Schaeffler）进一步深化技能互助，两边于最新中标项目中采用安森美新一代EliteSiC碳化硅MOSFET产物系列。该方案将运用在舍弗勒主驱逆变器，为全世界知名汽车制造商的进步前辈插电式混淆动力电动汽车（PHEV）平台提供焦点动力撑持。这次互助标记着碳化硅技能于新能源车载体系中的要害落地，助力PHEV机能与能效两重进级。

安森美（onsemi）与驱动技能领军企业舍弗勒（Schaeffler）进一步深化技能互助，两边于最新中标项目中采用安森美新一代EliteSiC碳化硅MOSFET产物系列。该方案将运用在舍弗勒主驱逆变器，为全世界知名汽车制造商的进步前辈插电式混淆动力电动汽车（PHEV）平台提供焦点动力撑持。这次互助标记着碳化硅技能于新能源车载体系中的要害落地，助力PHEV机能与能效两重进级。

安森美的EliteSiC 技能具备显著降低的导通损耗及卓着的抗短路能力，可实现紧凑、散热效率高的逆变器设计，从而提高总体体系机能。与同类产物中的其他SiC 解决方案比拟，这类基在碳化硅的解决方案具备领先行业的超低导通电阻，可提供更高的峰值功率。这些上风助力舍弗勒开发出立异的主驱逆变器体系，为终端客户带来显著效益，包括：

·更高的能量转换效率，实现更长的行驶里程

·更高的靠得住性，确保不变运行并降低维护需求

·优化的形状尺寸，使整车设计具备更高的矫捷性

舍弗勒节制营业事业部全世界卖力人Christopher Breitsameter暗示：“主驱逆变器是每一套电气化传动体系的焦点，安森美的EliteSiC解决方案于实现客户要求的能效及机能方针方面阐扬着至关主要的作用。”

跟着汽车制造商日趋器重能效及机能，该行业正向更进步前辈的混淆动力架构转型，纵然于以往由绝缘栅双极晶体管（IGBT）主导、成本敏感的电动汽车平台上也是云云。安森美作为碳化硅范畴的带领者，正引领这一技能转型，助力舍弗勒开发出同时满意严苛机能要乞降封装规格的电动汽车体系。

“作为该项目的独家碳化硅供给商，安森美连续巩固其作为全世界头部车企可托赖的立异互助伙伴的职位地方。”安森美电源方案事业群总裁Simon Keeton暗示，“咱们业界领先的碳化硅半导体技能提供更胜一筹的能效、散热机能及功率密度，这些都是下一代电动动力总成体系的要害鞭策因素，不仅合用在纯电动汽车，也合用在插电式混淆动力平台。”

这一全新里程碑基在安森美与舍弗勒（舍弗勒并购纬湃科技后承接原互助）之间已经有的持久互助基础，不仅延续了两边多年的战略协作，更进一步强化了配合致力在提供高效电动出行解决方案的承诺。

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